9月1日电， 世界最大芯片生产商美国英特尔公司宣布，已采用最先进的65纳米芯片制造工艺生产出了储存量为70兆的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该公司同时宣布，下一代纳米芯片制造技术水平将达到45纳米。 　　作为半导体工业新技术商业化常用的测试元器件，静态存取记忆器在逻辑制造方面的技术可以用于制造微处理器。英特尔称，使用65纳米制造工艺可将晶体管尺寸缩小约30％，从而可以在一块芯片上集成更多晶体管。这种新工艺为英特尔将来推出多内核电脑中央处理器芯片以及开发视频和安全等方面的新功能奠定了基础，它可以提高芯片性能，还具有节能等特点。美国俄勒冈州的芯片制造厂明年准备率先利用65纳米新技术大规模生产芯片。 　　1纳米等于1米的十亿分之一。业内人士认为，65纳米芯片制造技术的成功将再次使英特尔芯片龙头老大的地位更为稳固。此前，不少芯片制造商试图开发90纳米与65纳米尺度的芯片制造新技术，但终因成本昂贵不得不放弃。目前新一代的0.13微米，相当于130纳米芯片试生产的成本就高达80万美元。很少有集成电路方面的设计公司能承担得起。 　　有关专家指出，利用纳米新材料技术，芯片的集成度将再次出现倍数增长。英特尔的纳米芯片新制造技术持续验证了半导体界经典的“摩尔定律”的有效性。“摩尔定律”曾由英特尔公司创办人摩尔提出，即芯片的集成度每18个月就会增加一倍。在此之前，“摩尔定律”受到传统半导体材料极限的限制。