三星电子公司日前宣布，该公司已经利用60纳米技术开发出一款8GB的NAND闪存芯片，从而荡平了通往16GB闪存设备的大道上的技术樊篱，此类设备有望来年面世。 　　与此同时，该公司还宣布了一项消息：该公司采用80纳米技术，推出了世界首款2GB双倍速DDR DRAM芯片，目前此类芯片广泛应用于计算机部件中。 　　8Gb NAND 闪存的问世使得在一块存储板卡上设计16GB存储系统成为可能。16GB存储空间的概念是：可以连续播放16小时高画质DVD或者是4000首(每首5分钟)MP3歌曲的容量。 　　此类高集成度精密电路设计的关键在于三维单元晶体管结构以及高度门绝缘技术，这样可以将单元之间的干扰降到最低。此外，借助于广泛使用的KrF微印技术，成本可以压缩近一半。 　　三星电子半导体部总裁Hwang Chang-gyu说：“开发进展表明，半导体容量还可以通过改进设计及工艺而加以扩大，而不是依靠单一的微处理技术”。 　　Hwang博士称，业内存储密度经历了1999年的256MB、2000年的512MB、2001年的1GB、2002年的2GB、2003年4GB以及2004年的8GB一系列演化过程”。与著名的摩尔定律(称计算机芯片的处理能力每隔18个月将翻倍)相对比，这种推论常被称作“Hwang氏定律”。 　　三星公司预计在2005年下半年开始大规模生产这种2GB芯片。 　　他还预测到，来年全球半导体销售增长速度将会在今年20%的增长速度基础上有所放缓、成为10%。 　　上周，摩根斯坦利(Morgan Stanley)降低了其对2005年半导体业的预期，从原来预计的的13%到18%降低为8%到12%。