近日，中国科学院物理研究所研究员王恩哥、白雪冬等与武汉大学的同行合作，在硼碳氮纳米管的结构调控和性质研究方面又取得了新进展。

　　研究人员采用等离子体辅助热丝化学气相沉积生长技术，在金属衬底上直接生长硼碳氮/碳多壁纳米管异质结阵列。结构分析表明，硼碳氮纳米管和碳纳米管具有高质量的界面结构。采用原子力显微镜对单个异质结构进行电学测量，发现硼碳氮/碳多壁纳米管异质结具有优良的整流特性。该研究结果一方面给出了单根多壁硼碳氮纳米管纯半导体性质的直接实验证据，另一方面为硼碳氮纳米管的进一步器件应用研究奠定了基础，这项工作是他们在轻元素纳米结构研究方面的又一项新的成果。详细结果发表在近期的《美国化学会志》上。