近日，复旦大学对外发布，复旦大学信息科学与工程学院微电子学系教授江安全在高密度铁电阻变存储器的研究中取得重大进展。

      江安全带领的研究小组与中科院物理所、首尔大学、剑桥大学等教授合作，基于BiFeO3薄膜，证明了一种铁电自发极化方向调制的p-n结电流，可运用于高密度信息的非挥发存储。这也就意味着，在存储器领域中，读写速度更快、可靠性更强、体积更小的存储器有望诞生，其原理已经取得实验证实。

      据江安全介绍，正是由于铁电变阻器在“高密度”研究方面的成功突破，使得它单位体积内的存储容量比现有的电容存储器等有了巨大的提升空间。

      在未来，像现有U盘大小的存储器可以有几十G的存储量，将不再是梦想。除了信息高密度存储和快速擦写特性，铁电存储器还具备了电压低、成本低、损耗低、体积小的优点，具有极大的产业化潜力，尤其是在电子标签、移动电话、公交卡、随身听、游戏卡和数码相机等耗电少的电子产品中将率先得到应用和发展。比如，在电子标签领域，也就是我们所熟悉的“条形码”，在提高每个几分钱成本的前提下，使用铁电存储器可以大大节省结账的时间，原本需要逐一扫描的条形码可以成批同时扫描。