最近，IBM研究人员在瑞士苏黎世首次展示了多位相变存储器技术。
    
      相变存储器利用各种合金材料在结晶态和非结晶态下电阻由低至高的变化特性，通过不同的电压和电流脉冲触发，实现数据存储。IBM苏黎世研究中心的科学家采用先进的调制编码技术，成功抑制了相变存储器短期电阻漂移问题，这一问题会导致存储阻力和读取错误。IBM多位相变存储技术满足每单元存储多位数据的高存储容量需求，断电时存储数据不丢失，写入和检索数据速度比目前闪存存储器快100倍，并可持续使用至少1千万次。
  
      IBM多位相变存储技术的重大突破将为手机、云存储以及企业大型数据存储提供价廉、快速、耐久的存储设备。权威人士称，多位相变存储技术由于具备存储速度快、耐久性、非易失性和高密度存储特征，在未来5年内将引导IT企业和存储系统的重大革新，尤其能够满足云存储和数据处理需求。