通过使用改进的张力硅技术、能够阻止电能流到其它电路的晶体管以及其它技术，英特尔公司正在努力进一步降低其新一代芯片的能耗。 　　英特尔公司负责处理器架构和集成事务的主管马克表示，英特尔公司将在其0.065 微米工艺中集成许多变化。它已经在生产0.065 微米工艺的试验性SRAM芯片。 　　根据芯片设计者的目标，0.065 微米工艺的芯片能够提高芯片的性能或降低能耗，或者同时实现这二个目标，但英特尔公司将其重点放在了节能上。 　　与不使用张力硅技术的芯片相比，增强版张力硅能够使芯片的性能提高30% ，或者将泄露的电流量降低4 倍。马克说，通过使用张力硅技术，英特尔公司至少保持了一代的技术领先优势。增强版张力硅技术能够用于增强驱动电流或减少电流泄露。IBM 、AMD 等公司也已经开始在芯片中使用张力硅技术。 　　减小晶体管和晶体管组件是摩尔定律的核心。更小的晶体管通常速度更快，能够生产出更小、更廉价、更好和更节能的芯片。在试验性的 SRAM芯片中，原子笔笔尖大小的面积可以集成1000万个晶体管。按照摩尔定律发展了30多年的芯片产业已经大大提高了芯片的集成度，使得芯片设计、生产的难度进一步提高。 　　0.065 微米工艺芯片中的其它改进是氧化物栅极。在0.065 微米工艺芯片中，栅极的长度更短了，这将提高晶体管的性能。通过保持厚度不变，电容降低了20% ，从而减少了电流泄露的可能。 　　0.065 微米工艺芯片中还将包含能够切断其它晶体管电源的睡眠晶体管。马克无法准确地量化这些晶体管的节能效果，但它可能节省相当多的有效能耗和泄露电流。他说，这一技术对于降低泄露电流的作用是显而易见的。 　　英特尔公司的0.065 微米工艺芯片不包含绝缘硅(SOI )技术。英特尔公司曾经试验过被称为“超薄SOI ”的技术，它认为“超薄SOI ” 的节能效果将由使用三栅极晶体管来完成。